PATENT
폴리디메틸실록산을 이용한 비휘발성 멀티레벨 광 메모리 및 그 제조방법
출원국: PCT, 출원번호: KR2020/001066, 출원일: 2020-01-22
산소 분압 조절을 통한 이종접합 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
출원국: PCT, 출원번호: KR2020/001065, 출원일: 2020-01-22
산화물 반도체 박막 트랜지스터
출원국: PCT, 출원번호: KR2019/003360, 출원일: 2019-03-22
출원국: PCT, 출원번호: KR2018/015659, 출원일: 2018-12-11
THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME
출원국: 미국, 출원번호: 16/120,898, 출원일: 2018-09-04
가시광 흡수율이 향상된 산화물 반도체 포토 트랜지스터 및 그 제조 방법
출원국: PCT, 출원번호: KR2018/006727, 출원일: 2018-06-14
내습성이 향상된 배리어 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 배리어 필름
출원국: 미국, 출원번호: 15/397,578, 출원일: 2017-01-03
산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
출원국: 미국, 출원번호: 15/423,842, 출원일: 2017-02-03
출원국: 미국, 출원번호: 15/415,102, 출원일: 2017-01-25
산화물 박막 리페어 방법 및 산화물 박막 소자
출원국: 미국, 출원번호: 15/096,556, 출원일: 2016-04-12